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CONCEPTION D’UNE MÉMOIRE RECONFIGURABLE INTÉGRÉE SUR TRANCHE
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Bassam M. NASREDDINE
|
Univ. |
L’Institut National Polytechnique de Grenoble |
Spéc. |
Microélectronique |
Dip. |
Année |
# Pages |
|
D.N.R. |
1988 |
224 |
L’objet de cette étude est la conception d’une mémoire statique intégrée sur tranche (4.5 Mbits). Cette mémoire réalisée à partir de cellules de 64 kbits est tolérante aux défauts de fin de fabrication. Des éléments en réserve remplacent les éléments défecteux à l’aide de connexions du type grille flottante FET ou fusible et antifusible laser.
Le travail de recherche a consisté :
- à étudier la faisabilité de cette mémoire
- à définir l’architecture d’une telle mémoire en tenant compte du rendement
- à définir une stratégie de test pour chaque circuit mémoire 64 Kbits et pour leur ensemble, de façon à déterminer une cartographie des éléments non défectueux et des interconnexions utilisables permettant de réaliser la mémoire cible de 4.5 Mbits.
- à étudier les dispositifs de connexion/déconnexion (fusibles et antifusibles, grille flottante FET) qui permettront de réaliser physiquement la mémoire finale
- à développer des algorithmes de configuration qui détermineront, partant de la cartographie précédente, les groupements de cellules en paquets de 256 kbits.
Ce travail a été réalisé dans le cadre du projet ESPRIT-824. Un premier essai de fabrication a permis de caractériser les dispositifs de connexion. La mémoire de 4.5 Mbits a été envoyée en fabrication fin 1987.
